Экспериментально исследовано поведение продольного автосолитона, реализованного в неравновесной и возбужденной электронно-дырочной плазме в компенсированном p-InSb в скрещенных магнитном и электрическом полях. Показано, что при магнитных полях 6700-32 000 А/м продольный автосолитон оказывается в состоянии движения со средней скоростью 2· 102-3·103 см/с в направлении периферии образца, отличающейся пониженной температурой, где неустойчивое существование автосолитона приводит к цикличности процесса, обусловливая колебания тока в цепи образца. Амплитуда и частота (2144-26 855 Гц) при этом зависят от магнитного поля. С возрастанием электрического и магнитного полей неустойчивость тока продольного автосолитона проявляет синергетические свойства.

Исследовано применение дифференциальной обработки температурной зависимости концентрации свободных носителей в полупроводниках в присутствии амфотерных центров как с положительной, так и с отрицательной корреляционной энергией и для различных условий компенсации. Обнаружено, что высота и положение максимума дифференциальной характеристки, обусловленных акцепторным состоянием, зависит от степени компенсации. Такая ситуация может ошибочно восприниматься как изменение концентрации центров и их энергетического спектра в запрещенной зоне полупроводника или образование новых дефектов в зависимости от условий компенсации.

Исследовано влияние лазерного облучения на примесный энергетический спектр интеркалированных структур на примере 0.015GaSe. По изменениям частотных зависимостей удельного сопротивления, измеренного перпендикулярно к слоям полученной структуры, и по трансформации диаграмм Найквиста, состоящих их двух последовательно соединенных параллельных R|| C-звеньев, сделан вывод о лазерно-стимулированной компенсации интеркалянта. Полученные величины действительной части диэлектрической проницаемости являются характерными для легированных полупроводников или их твердых растворов в радиочастотном диапазоне. Экспериментальные результаты показали, что импульсное лазерное облучение является эффективным способом влияния на энергетический примесный спектр интеркалированных соединений.

Исследовано влияние очередности введения легирующих примесей CuCl и Ga при термолегировании ZnS на люминесцентные характеристики получаемого люминофора. Рассмотрены процессы диффузии Ga и CuCl в ZnS, а также роль этих примесей в формировании излучательных центров в ZnS:(CuCl,Ga). Показано, что очередность введения этих примесей позволяет варьировать значения цветовых координат (X=0.242-0.351, Y=0.555-0.551) люминофора ZnS:(CuCl,Ga) и интенсивность полосы излучения с максимумом при 404 нм.

Методом высокочастотных вольт-фарадных характеристик исследовалось влияние низкополевой инжекции на электрические свойства SiO2--Si в МОП структурах с подложками n- и p-типа проводимости. Показано, что во всех случаях при инжекции, независимо от полярности напряжения на затворе, в окисле возникает положительный эффективный заряд, который после инжекции релаксирует с временами, зависящими от величины смещения на затворе и типа МОП структуры. В структурах с p-Si при положительной полярности напряжения на затворе в процессе инжекции на вольт-фарадных характеристиках наблюдалось появление минимума при переходе к состоянию инверсии и возрастание с ростом этого напряжения величины инверсионной емкости (по сравнению с исходной величиной). В постинжекционный период происходило постепенное приближение величины емкости к начальному состоянию до инжекции.

Значения электронного сродства рассчитаны двумя различными способами с помощью представления разрывов зон в гетеропереходах, образованных контактом 3C-SiC с некубическим политипом, в виде линейных функций от степени гексагональности.

Измерены спектральные зависимости эффективных значений действительной и мнимой частей низкочастотной диэлектрической проницаемости кристаллов Cd1-xZnxTe (x=0.12-0.16), на поверхности которых создан барьер Шоттки. Установлено, что граничные длины волн характеристических участков измеренных зависимостей, представленных в комплексной плоскости, соответствуют энергиям фотонов, вызывающих качественные изменения в состоянии отрицательно заряженных и электронейтральных локализованных акцепторных состояний. Обнаружены изменения энергетического спектра локализованных состояний, определяемые величиной и полярностью приложенного к барьеру Шоттки электрического смещения.

Получены мультислойные наноразмерные пленки Ленгмюра--Блоджетт на основе дифильных beta-циклодекстринов с различным количеством алкильных цепей на подложках монокристаллического кремния, как не модифицированных, так и модифицированных слоями катионных и анионных полиэлектролитов методом полиионной сборки. Проведен расчет и анализ коэффициента переноса монослоев beta-циклодекстринов на подложки и показано, что на величину коэффициента влияет знак заряда адгезионного слоя полиэлектролита, а также количество алкильных цепей в молекуле циклодекстрина и количество нанесенных монослоев. Дана интерпретация наблюдаемых явлений, характеризующих индикаторные свойства монослоев циклодекстринов.

Приведены результаты исследования структурных и электрических свойств композиций, изготовленных методом прямого сращивания пластин GexSi1-x и Si. Пластины были вырезаны из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Непрерывность интерфейса и дефекты кристаллической решетки исследованы рентгеновскими методами с использованием синхротронного излучения и сканирующей электронной микроскопией. Измерение прямых и обратных вольт-амперных характеристик диодов p-GexSi1-x/n-Si позволило оценить влияние дефектов кристаллической структуры на электрические свойства гетеропереходов. Удовлетворительные электрические параметры позволяют сделать вывод о том, что технология прямого сращивания перспективна для изготовления гетеропереходов GexSi1-x/Si большой площади.

Учтено влияние эффекта сужения зон на величины эффективных скоростей поверхностной рекомбинации в кремнии. Показано, что эффект сужения зон приводит к увеличению эффективной скорости поверхностной рекомбинации в случае, когда концентрация носителей заряда на поверхности больше, чем в объеме, и к ее уменьшению в противоположном случае. Рассчитано влияние эффекта сужения зон на напряжение разомкнутой цепи в кремниевых солнечных элементах с учетом изменения вклада поверхностной рекомбинации.

Исследован электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) на примеси фосфора в сплавах Si1-xGex при 0 и температурах от 3 до 30 K при концентрациях фосфора в диапазоне 1015-1016 см-3. Спектры электронного парамагнитного резонанса сравнивались со спектрами аналогичных образцов кремния. Обнаружено, что начиная с самых малых x=0.008 спектры электронного парамагнитного резонанса сплавов содержат две дополнительные линии. Предполагается, что они связаны с примесями фосфора, расположенного в кластерах с повышенным содержанием Ge. При этом оказывается, что вплоть до x=0.024 увеличение его содержания приводит лишь к росту концентрации кластеров. При x>=0.024 начинается рост концентрации Ge как внутри, так и вне кластеров.

Исследована кинетика изменения компонент полного импеданса для монокристаллических образцов Pb0.75Sn0.25Te(In) при включении и выключении источника подсветки при температуре 4.2 K и частоте 106 Гц. Расчет, проведенный в рамках представления эквивалентных схем, показал, что параметры аппроксимирующей поведение образца параллельной RpCp-цепочки находятся в строгой корреляции. В области низких сопротивлений Rp значения Cp резко возрастают, следуя закону Cp прапорционально R-2p. При этом не имеет значения, каким способом было индуцировано уменьшение сопротивления: нагревом образца или с помощью подсветки при низкой температуре. Анализ полученных результатов проводится с учетом вклада примесной подсистемы в емкостной вклад в проводимость и возможного проявления эффектов типа Максвелла--Вагнера.

Монокристаллы ZnTe : Co получены методом диффузионного легирования кобальтом. Исследованы спектры оптической плотности в области 2.4-0.38 эВ. Установлено, что при легировании кристаллов кобальтом край поглощения смещается с низкоэнергетическую область. Установлена аналогия спектров оптического поглощения кристаллов ZnTe : Co и ZnS : Co. Наблюдаемые линии поглощения ZnTe : Co объясняются оптическими переходами электронов с уровня основного состояния 4A2(F) иона Co2+ на расщепленные спин-орбитальным взаимодействием уровни возбужденных состояний 4T1(P), 4T1(F) и 4T2(F).

Синтезированы и исследованы слои GaAs, легированного имплантацией ионов Mn, а также ионов Mg для увеличения концентрации дырок. Измерения с помощью SQUID-магнетометра показали наличие ферромагнетизма при температурах до 400 K, что связывается с образованием в результате высокотемпературного отжига наряду с твердым раствором Ga1-xMnxAs кластеров MnAs и MnyGa1-y. При температурах от 4.2 до 200 K наблюдался аномальный эффект Холла. При увеличении температуры от 4.2 K колоссальное отрицательное магнетосопротивление переходило в гигантское положительное при T~35 K.
PACS: 73.50.Jt, 73.61.Ey, 75.47.-m, 75.50.Pp

Исследованы транспортные свойства нелегированных высокоомных поликристаллов n-CdTe, выращенных по новой технологии. Определены характерные особенности температурных зависимостей проводимости, фотопроводимости и дрейфа ноcителей в этих поликристаллах. Полученные результаты лишь частично укладываются в рамки общепринятых представлений.

Методом эмпирического псевдопотенциала впервые рассчитаны температурные зависимости актуальных экстремумов энергии в высокосимметричных точках Gamma, L, K, M, A, H зоны Бриллюэна гексагональных модификаций нитридов галлия и алюминия, а также основных межзонных переходов между ними. Влияние температурной зависимости электрон-фононного взаимодействия на зонную структуру кристалла учитывалось через факторы Дебая--Валлера, а вклад линейного расширения решетки --- через температурную зависимость коэффициента линейного расширения. Подробно анализируются особенности температурных зависимостей энергетических уровней, межзонных переходов. Сравнение с имеющимися в литературе экспериментальными данными показало хорошее согласие.

Исследованы электро- и фотопроводящие свойства полимерных композитов с добавками гетерополиядерного комплекса Cu (II)/Mn (II) в сравнении с ацетатом меди и оксалатом марганца. В видимой области света внутренний фотоэффект усиливается при введении в состав композитов органических полиметиновых красителей, способных к фотогенерации дырок или электронов, а также доноров или акцепторов, обеспечивающих транспорт носителей заряда в нейтральном полимерном связующем. Сделано предположение о наличии состояний для рекомбинации носителей заряда на поверхности частиц гетерополиядерного комплекса.

Исследовались монокристаллы p-кремния полученные методом Чохральского, с концентрацией дырок p=6·1013 см-3. Образцы облучались электронами с энергией 8 МэВ при 300 K. Изохронный отжиг облученных кристаллов производился в интервале температур Tann=100-500oC. Исследования проводились методом Холла в интервале 77-300 K. Показано, что отжиг дивакансий происходит путем их преобразования в комплексы BsV2. Комплексу BsV2 соответствует уровень энергии Ev+0.22 эВ, и он отжигается в интервале температур 360-440oC. Высказано предположение, что дефекты с уровнем Ev+0.2 эВ, которые отжигаются в интервале температур Tann=340-450oC, являются мультикомпонентными комплексами и содержат атомы легирующей и фоновых примесей.

Показано, что учет статистических флуктуаций в распределении адсорбированных на дислокациях примесей приводит к наличию порога в подвижности дислокаций, величина которого sigmath зависит от температуры и взаимодействия между примесями. В области низких температур sigmath может заметно превышать величину напряжения пиннинга sigmapin, определяемого средней концентрацией адсорбированных примесей. Результаты расчета могут быть использованы также при описании кинетики одномерных систем другой физической природы.

Предложена модель трансформации политипов SiC в процессе роста эпитаксиального слоя, основанная на изменении во времени концентрации углеродных и кремниевых вакансий в переходном слое, в рамках которой получено соотношение между их временами жизни.